Sheng-Lei Ma: шукати на сайті Z-Library

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (20)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

1

Reliability investigation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors under reverse-bias stress

Chen, Wei-Wei, Ma, Xiao-Hua, Hou, Bin, Zhao, Sheng-Lei, Zhu, Jie-Jie, Zhang, Jin-Cheng, Hao, Yue

Журнал:

Microelectronics Reliability

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.34 MB

english, 2014

2

ChemInform Abstract: Unusual Products of Enamines with [60]Fullerene.

Xiang Gao, Sheng-Lei Ma, Li-Wei Guo, Dan-Wei Zhang, Shi-Hui Wu, Hou-Ming Wu, Yong-Jiang Li

Журнал:

Рік:

1999

Файл:

PDF, 30 KB

1999

3

E-cadherin expression and prognosis of oral cancer: a meta-analysis

Luo, Sheng-Lei, Xie, Yong-Gang, Li, Zhen, Ma, Jia-Hai, Xu, Xin

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 333 KB

english, 2014

4

TPX2 siRNA regulates growth and invasion of esophageal cancer cells

Liu, Hong-Chun, Zhang, Gen-Hao, Liu, Yu-Han, Wang, Pan, Ma, Jun-Fen, Su, Li-Sha, Li, Sheng-Lei, Zhang, Lan, Liu, Jun-Wen

Журнал:

Biomedicine & Pharmacotherapy

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.71 MB

english, 2014

5

Improved performance of AlGaN/GaN HEMT by N 2 O plasma pre-treatment

Mi, Min-Han, Zhang, Kai, Zhao, Sheng-Lei, Wang, Chong, Zhang, Jin-Cheng, Ma, Xiao-Hua, Hao, Yue

Журнал:

Chinese Physics B

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 347 KB

english, 2015

6

Non-recessed-gate quasi-E-mode double heterojunction AlGaN/GaN high electron mobility transistor with high breakdown voltage

Mi, Min-Han, Zhang, Kai, Chen, Xing, Zhao, Sheng-Lei, Wang, Chong, Zhang, Jin-Cheng, Ma, Xiao-Hua, Hao, Yue

Журнал:

Chinese Physics B

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 436 KB

english, 2014

7

A two-dimensional fully analytical model with polarization effect for off-state channel potential and electric field distributions of GaN-based field-plated high electron mobility transistor

Mao, Wei, She, Wei-Bo, Yang, Cui, Zhang, Chao, Zhang, Jin-Cheng, Ma, Xiao-Hua, Zhang, Jin-Feng, Liu, Hong-Xia, Yang, Lin-An, Zhang, Kai, Zhao, Sheng-Lei, Chen, Yong-He, Zheng, Xue-Feng, Hao, Yue

Журнал:

Chinese Physics B

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.50 MB

english, 2014

8

Mechanism of improving forward and reverse blocking voltages in AlGaN/GaN HEMTs by using Schottky drain

Zhao, Sheng-Lei, Mi, Min-Han, Hou, Bin, Luo, Jun, Wang, Yi, Dai, Yang, Zhang, Jin-Cheng, Ma, Xiao-Hua, Hao, Yue

Журнал:

Chinese Physics B

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.42 MB

english, 2014

9

AlGaN Channel High Electron Mobility Transistors with Ultra-Low Drain-Induced-Barrier-Lowering Coefficient

Ha, Wei, Zhang, Jin-Cheng, Zhao, Sheng-Lei, Ge, Sha-Sha, Wen, Hui-Juan, Zhang, Chun-Fu, Ma, Xiao-Hua, Hao, Yue

Журнал:

Chinese Physics Letters

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 65 KB

english, 2013

10

Field plate structural optimization for enhancing the power gain of GaN-based HEMTs

Zhang, Kai, Cao, Meng-Yi, Lei, Xiao-Yi, Zhao, Sheng-Lei, Yang, Li-Yuan, Zheng, Xue-Feng, Ma, Xiao-Hua, Hao, Yue

Журнал:

Chinese Physics B

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 236 KB

english, 2013

11

Reverse blocking enhancement of drain field plate in Schottky-drain AlGaN/GaN high-electron mobility transistors

Zhao, Sheng-Lei, Wang, Yuan, Yang, Xiao-Lei, Lin, Zhi-Yu, Wang, Chong, Zhang, Jin-Cheng, Ma, Xiao-Hua, Hao, Yue

Журнал:

Chinese Physics B

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 376 KB

english, 2014

12

Trap States in Al 2 O 3 InAlN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor Structures by Frequency-Dependent Conductance Analysis

Zhang, Peng, Zhao, Sheng-Lei, Xue, Jun-Shuai, Zhang, Kai, Ma, Xiao-Hua, Zhang, Jin-Cheng, Hao, Yue

Журнал:

Chinese Physics Letters

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 610 KB

english, 2014

13

Improvement of the off-state breakdown voltage with field plate and low-density drain in AlGaN/GaN high-electron mobility transistors

Zhang, Peng, Zhao, Sheng-Lei, Hou, Bin, Wang, Chong, Zheng, Xue-Feng, Ma, Xiao-Hua, Zhang, Jin-Cheng, Hao, Yue

Журнал:

Chinese Physics B

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 349 KB

english, 2015

14

Influence of a drain field plate on the forward blocking characteristics of an AlGaN/GaN high electron mobility transistor

Zhao, Sheng-Lei, Chen, Wei-Wei, Yue, Tong, Wang, Yi, Luo, Jun, Mao, Wei, Ma, Xiao-Hua, Hao, Yue

Журнал:

Chinese Physics B

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.41 MB

english, 2013

15

Trap states induced by reactive ion etching in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors

Luo, Jun, Zhao, Sheng-Lei, Mi, Min-Han, Hou, Bin, Yang, Xiao-Lei, Zhang, Jin-Cheng, Ma, Xiao-Hua, Hao, Yue

Журнал:

Chinese Physics B

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 341 KB

english, 2015

16

Investigation of trap states in Al 2 O 3 InAlN/GaN metal–oxide–semiconductor high-electron-mobility transistors

Zhang, Peng, Zhao, Sheng-Lei, Xue, Jun-Shuai, Zhu, Jie-Jie, Ma, Xiao-Hua, Zhang, Jin-Cheng, Hao, Yue

Журнал:

Chinese Physics B

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 541 KB

english, 2015

17

Effect of gate length on breakdown voltage in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor

Luo, Jun, Zhao, Sheng-Lei, Mi, Min-Han, Chen, Wei-Wei, Hou, Bin, Zhang, Jin-Cheng, Ma, Xiao-Hua, Hao, Yue

Журнал:

Chinese Physics B

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 499 KB

english, 2016

18

Enhancement of Breakdown Voltage in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Using Double Buried p-Type Layers

Luo, Jun, Zhao, Sheng-Lei, Lin, Zhi-Yu, Zhang, Jin-Cheng, Ma, Xiao-Hua, Hao, Yue

Журнал:

Chinese Physics Letters

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 761 KB

english, 2016

19

Unusual Products of Enamines with [60]Fullerene

Gao, Xiang, Ma, Sheng-Lei, Guo, Li-Wei, Zhang, Dan-Wei, Wu, Shi-Hui, Wu, Hou-Ming, Li, Yong-Jiang

Журнал:

Chemistry Letters

Рік:

1999

Файл:

PDF, 333 KB

1999

20

Using in-process measurements of open-gate structures to evaluate threshold voltage of normally-off GaN-based high electron mobility transistors

Hou, Bin, Ma, Xiao-Hua, Chen, Wei-Wei, Zhu, Jie-Jie, Zhao, Sheng-Lei, Chen, Yong-He, Xie, Yong, Zhang, Jin-Cheng, Hao, Yue

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.25 MB

english, 2015